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杨斌

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:山东大学空间科学与物理学院更多>>
发文基金:山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇电阻
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇透过率
  • 1篇膜厚
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇厚度
  • 1篇方块电阻
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇AZO
  • 1篇AZO薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇山东大学

作者

  • 2篇宋淑梅
  • 2篇杨田林
  • 2篇王连杰
  • 2篇杨斌
  • 2篇张平

传媒

  • 1篇光电子技术
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
薄膜厚度对直流溅射制备AZO薄膜的特性影响被引量:2
2009年
采用直流磁控溅射法,当衬底温度为室温时,在普通玻璃衬底上制备出了低电阻率、高透过率的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了薄膜厚度对薄膜结构以及光电特性影响。当薄膜厚度为930 nm,薄膜的光电特性最好,电阻率为4.65×10-4Ω.cm,可见光范围内的平均透过率为85.8%,禁带宽度约为3.51 eV。
张平王连杰杨斌宋淑梅杨田林
关键词:直流磁控溅射薄膜厚度光电特性禁带宽度
同质缓冲层厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响被引量:1
2010年
室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al(AZO)薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结果表明:当薄膜总厚度为400 nm时,制备具有66 nm同质缓冲层的AZO薄膜的方块电阻为26Ω.□–1,与单层AZO(400 nm)薄膜的方块电阻(63Ω.□–1)相比,下降了59%,其在可见光范围内的平均透过率为91%。
杨斌王连杰张平宋淑梅杨田林
关键词:AZO厚度方块电阻透过率
共1页<1>
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