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林晓炜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳理工大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇数对
  • 1篇溅射
  • 1篇工艺参
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇TIN薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇TIN

机构

  • 1篇沈阳理工大学
  • 1篇沈阳奇汇真空...

作者

  • 1篇张罡
  • 1篇娄长胜
  • 1篇张剑
  • 1篇林晓炜

传媒

  • 1篇沈阳理工大学...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
工艺参数对反应磁控溅射TiN薄膜硬度的影响
2015年
采用反应磁控溅射工艺,在W18Cr4V高速钢基片上制备TiN薄膜;运用正交设计方法选取工艺参数,研究溅射电流、N_2流量、Ar流量、负偏压等工艺参数对TiN薄膜硬度的影响;并进一步研究了负偏压对薄膜硬度影响。结果表明,各参数对硬度的影响次序由大到小依次为:负偏压、N_2流量、溅射电流、Ar流量。当负偏压小于100V时,负偏压可增加离子对基片的轰击作用,提高致密度,从而提高薄膜硬度;当负偏压大于100V时,过强的离子轰击使薄膜产生更多的缺陷,使薄膜硬度降低。
张剑林晓炜韩晓娄长胜张罡
关键词：TIN薄膜正交实验
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