高见头
- 作品数:40 被引量:5H指数:1
- 供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术理学更多>>
- 引线框架和半导体器件
- 本申请实施例公开了一种引线框架和半导体器件,其中引线框架包括:芯片安装片,所述芯片安装片用于安装芯片;引线架,围设在所述芯片固定架的周侧;桥接片,所述桥接片的一端连接于所述引线架,另一端连接于所述芯片安装片。本申请实施例...
- 王可高见头孙澎周净男蔡小五赵发展
- 一种半导体器件及制作方法
- 本申请提供了一种半导体器件及制作方法,该半导体器件包括:衬底;位于所述衬底一侧表面上的配置层,所述配置层包括第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域的掺杂类型相反,以在二者界面形成PN结;位于所述配置层背离所述衬底...
- 陆芃孙一超高见头李博韩郑生
- 一种功率器件的辐照测试电路及系统
- 本申请公开一种功率器件的辐照测试电路及系统,涉及电子器件测试技术领域,能够实现功率器件的原位测试,可以提高测试精度。功率器件的辐照测试电路,包括:功率器件;测试源表,用于向处于辐照环境中的所述功率器件提供电压激励,以及测...
- 王春林高见头张刚赵发展
- 体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应
- 2021年
- 考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.
- 吴旭景王蒙军吴建飞李彬鸿郝宁高见头李宏张红丽
- 关键词:体硅绝缘体上硅静态随机存储器电磁敏感度温度效应
- 一种芯片的制造方法
- 本发明公开了一种芯片的制造方法,涉及芯片制造技术领域,用于通过优化封装结构的方式,使芯片内部的热量以更合理的方式传导。所述芯片的制造方法包括:由芯片的背面一侧,对芯片进行第一减薄处理。将经第一减薄处理后的芯片放置并粘接在...
- 卢维尔雷峰骅刘凡宇高见头李博李江江李多力王家佳陈思远周虹珊朱慧平
- 集成电路的通用单粒子效应测试系统设计被引量:1
- 2021年
- 为满足种类繁多、功能复杂集成电路的单粒子效应评估需求,克服目前国内地面单粒子辐照实验环境机时紧张、物理空间有限等方面的限制,设计实现了一款高效通用的集成电路单粒子效应测试系统。创新性地采用旋转立体垂直结构,包含一个多现场可编程门阵列(FPGA)电测试平台、运动控制分系统和被测器件装载板。便携式箱体结构仅需3个DB9接口即可完成所有与外界连线;基于LabVIEW实现上位机交互界面,界面友好;基于多FPGA平台实现下位机测试程序,灵活可扩展,通用性强。可实现8种300及以下管脚集成电路的一次安装、自动切换和10°~90°的角度辐射。实时监控并后台记录翻转数据、翻转时间、电路状态等细节信息,测试频率可达100 MHz。已通过专用集成电路(ASIC)、静态随机存取存储器(SRAM)、控制器局域网络(CAN)接口电路等集成电路的多次实测,验证了该系统的可靠性及其高效稳定、集成度高、安装调试方便等特点。
- 杨婉婉刘海南高见头高见头滕瑞罗家俊
- 关键词:虚拟仪器
- 芯片封装结构和半导体器件
- 本申请实施例提供了一种芯片封装结构和半导体器件,其中芯片封装结构包括:壳体;芯片过渡板,设置在所述壳体内;键合过渡片,设置在所述壳体内,沿所述芯片过渡板的长度或宽度方向布置;第一外引线连接于所述键合过渡片。该芯片封装结构...
- 高见头王可孙澎蔡小五赵发展
- 双极线性稳压器中子辐射位移效应研究
- 2020年
- 双极线性稳压器广泛应用于空间设备,中子辐射效应不容忽视。对国产双极线性稳压器在不同负载偏置下的中子辐射效应开展研究。试验过程中发现,负载越大,位移损伤效应越明显。试验后通过加载不同负载的详细在线测试发现,不同偏置下的输出电压差异是由于负载的不同引起的。辐照偏置对双极线性稳压器的位移损伤无显著影响,但中子位移效应导致了双极线性稳压器的带载能力严重降低,使其失去负载调整能力。因此,在工程评估时,应结合应用需求,选择合理的负载进行评估。
- 李彩王义元高见头崔帅陈斌王春林
- 关键词:中子辐照输出电压
- 一种电子元器件测试恒温系统
- 本实用新型涉及电子元器件技术领域,特别涉及一种电子元器件测试恒温系统。包括:制冷片、导热平台、加热片、温度传感器、夹具、电源及控制单元;导热平台的一侧设置有制冷片,另一侧设置有加热片;温度传感器设置在导热平台上,并与控制...
- 王春林高见头赵发展刘征罗家俊
- 文献传递
- 一种环形振荡器
- 本实用新型公开了一种环形振荡器,为双层绝缘衬底上的硅结构;所述环形振荡器包括:N个反相器,每个反相器包括N型MOS管和P型MOS管;N个反相器的接地接口均连接,N个反相器的电源接口均连接;N个反相器的N型MOS管的偏置电...
- 高见头李彬鸿赵发展罗家俊
- 文献传递