陈志强
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术金属学及工艺更多>>
- 直流溅射ZnO导电靶制备ZnO:Al透明导电薄膜被引量：5
- 2007年
- 利用直流(DC)磁控溅射导电率良好的ZnO:Al陶瓷制备ZnO:Al透明导电薄膜。在不同的温度下对靶的溅射得到的薄膜进行X-ray、AFM、霍尔系数的测量等的分析,研究了溅射温度对膜的薄膜结构电学和光学性能的影响。制得的薄膜均为(002)面的单一择优取向,且当温度为300℃时,有最低的电阻率为6.33×10-4Ωcm。薄膜在可见光部分的透射率都在80%以上。
- 方斌官文杰陈欣陈志强
- 关键词：电学性能
- Zn_(0．9)Mg_(0．1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究被引量：4
- 2006年
- 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa 的真空400℃退火2h后,其电阻率由8．12×10-4Ω·cm减小到4．74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度,增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象．
- 陈志强方国家李春盛苏赵兴中
- 关键词：沉积温度真空退火
- 正电子湮没技术作为材料无损检测的应用研究被引量：2
- 2014年
- 利用正电子湮没技术对材料内部原子尺度缺陷和损伤十分敏感的特点,设计了一种新的正电子无损检测(Non-destructive testing,NDT)装置,并使用单一样品分析了形变及辐照损伤材料的缺陷状态,证实该测量系统的可行性和可靠性。正电子NDT有望真正从原子尺度上给出材料损伤的判据,比常用的宏观或微观损伤判据更灵敏,可方便、快速及高灵敏探测两维缺陷分布。
- 曾辉陈志强姜静薛旭东梁建平刘向兵王荣山吴奕初
- 关键词：正电子湮没TESTING
