高慧
- 作品数:4 被引量:6H指数:2
- 供职机构:齐鲁师范学院物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域:理学更多>>
- 不同波长三倍频DKDP晶体的激光损伤被引量:4
- 2010年
- 采用传统降温法,利用高纯原料从氘化程度为80%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并按Ⅱ类三倍频方式切割晶体。三倍频用DKDP晶体的最大问题在于其抗光伤阈值低于KDP晶体,严重限制了激光输出的能量密度和晶体使用寿命。考察了不同波长下三倍频DKDP晶体的损伤阈值,以及激光退火效应。实验表明,激光退火对于DKDP晶体的损伤阈值有显著的提升作用,基频、倍频、三倍频的提升效果分别达到1.4,1.9,2.7倍,是改善DKDP晶体抗光伤能力的有效途径。
- 刘宝安孙绍涛季来林赵元安胡国行徐明霞高慧王正平孙洵许心光
- 关键词:三倍频激光损伤激光退火
- 第一性原理研究KDP晶体中Ba取代K点缺陷被引量:2
- 2011年
- 用基于第一性原理的CASTEP模拟了Ba替代K缺陷前后形成的电子结构和能态密度。发现晶体能带宽度降至6.4 eV左右,对应着380 nm的双光子吸收,这一结果可以解释掺Ba晶体在紫外波段的吸收现象。Ba替代K点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变,对晶体整体结构影响不大。
- 高慧孙洵刘宝安纪少华徐明霞许心光赵显
- 关键词:BA点缺陷光损伤
- As代P点缺陷对KDP晶体近紫外光损伤的影响
- 2015年
- 通过基于第一性原理的CASTEP软件计算发现,KDP晶体中As代P点缺陷的形成能约是4.0eV,说明晶体中比较容易形成这种点缺陷.通过模拟点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度发现,As替代P后,晶体能带宽度变为6.2 eV,这有可能会造成晶体对波长为355 nm的双光子吸收.As替代P后,As—O四面体体积增加,有利于金属离子以填隙的方式进入晶体,间接影响晶体光损伤阈值.
- 高慧沙贝孙刚李华闫静
- 关键词:KDP晶体AS光吸收
- Si代P点缺陷对KDP晶体光学质量的影响
- 2012年
- 通过基于第一性原理的CASTEP计算发现,KDP晶体中Si代P点缺陷的形成能约是12.18 eV,比较难在晶体中形成。模拟了此种点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度,发现Si替代P后,晶体带隙宽度几乎没有变化,说明这种点缺陷不会引起晶体对光的额外吸收。Si替代P点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变,对晶体整体结构影响不大。
- 高慧
- 关键词:KDP晶体SI光吸收