王泽英
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：哈尔滨理工大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试被引量：1
- 2015年
- 传统有机材料的场效应晶体管(FETs)具有工作速度低、驱动电压高的缺陷,针对这个问题,垂直结构的酞菁铜(Cu Pc)有机薄膜晶体管(VOTFTs)被制备,整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺.器件的层叠结构为Au/Cu Pc/Al(半导电)/Cu Pc/Au.其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的.VOTFT通过栅-源极偏压改变肖特基势垒高度来调制沟道电流.在室温下对其进行基本的电气测量.实验结果表明器件的静态输出特性具有不饱和性.漏-源极偏压VDS保持在2 V时,在栅-源极上施加频率为100 Hz的方波交流信号,得到器件的开关特性参数为ton=2.68 ms,toff=1.32 ms.在栅-源极上施加正弦波交流信号时,器件的截止频率和放大带宽分别为400 Hz,400 Hz.可知VOTFT具有工作频率高,响应速度快,电流密度大的优点.
- 王东兴王泽英王玥玥张永霜王玥
- 关键词：有机薄膜晶体管酞菁铜肖特基势垒
- 酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性被引量：2
- 2014年
- 无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.
- 朱敏张永霜王玥玥王泽英王东兴殷景华
- 关键词：酞菁铜Ⅰ-Ⅴ特性
- 酞菁锌有机薄膜晶体管的载流子输运机制解析
- 使用OLED多元镀膜系统制备ITO/ZnPc/Al/ZnPc/Cu的垂直结构有机薄膜晶体管(VOTFTs),其中,在玻璃基板上射频磁控溅射淀积ITO薄膜作为源极,使用直流磁控溅射分别生长Al和Cu薄膜作为栅极和漏极,使用...
- 王泽英
- 关键词：酞菁锌有机薄膜晶体管肖特基接触载流子输运
- 文献传递
