王佳斌
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 硅衬底蓝光LED退火及铜基板工艺研究
- 随着InGaN/GaN LED外延生长和芯片制备等技术的成熟,LED在照明,显示和背光市场上大放光彩,人们除了重视LED成本以外,对LED芯片制作的良率和芯片的可靠性也越来越关注。众所周知,从尺寸、成本、导电性能、散热性...
- 王佳斌
- 关键词：SI衬底退火应力
- 文献传递
- 硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制被引量：2
- 2016年
- 将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现：垂直结构LED薄膜芯片在160~180℃下退火应力释放明显,200℃时应力释放充分,GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。
- 汤英文熊传兵王佳斌
- 关键词：硅衬底GAN应力XRD
