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杨小剑

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇粉体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化反应
  • 2篇导电
  • 2篇碳前驱体
  • 2篇碳热还原
  • 2篇碳热还原法
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷粉
  • 2篇陶瓷粉体
  • 2篇体积
  • 2篇体积分数
  • 2篇前驱体
  • 2篇热还原
  • 2篇热还原法
  • 2篇煅烧
  • 2篇网络法
  • 2篇流延
  • 2篇流延成型
  • 2篇铝粉

机构

  • 6篇武汉理工大学

作者

  • 6篇王浩
  • 6篇杨小剑
  • 2篇吴宇

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种Si-SiC衬底材料及其制备方法
本发明是一种Si‑SiC导电衬底材料及其制备方法。该材料是一种由光伏硅切割废料制备的Si‑SiC导电衬底材料，按重量计其组成为：酸洗后的光伏硅切割固体废料65～99.5％、碳化硅0～30％、改性铝粉0.5％～5％。该材料...
王浩熊圣安杨小剑
有机网络法合成AlN陶瓷粉体方法
本发明是一种有机网络法合成AlN陶瓷粉体的方法，该方法采用碳热还原法制备氮化铝，包括铝/碳前驱体溶胶的制备、铝/碳干凝胶的制备、铝/碳干凝胶的热处理、球磨细化、氮化反应和除碳步骤，具体是：采用有机物聚乙烯醇为碳源，六水氯...
王浩吴宇杨小剑
一种高体积分数SiC增强Al基复合材料的制备方法
本发明是一种高体积分数的SiC颗粒增强Al基复合材料的制备方法，包括SiC粉体的氧化处理、TiO<Sub>2</Sub>溶胶的制备、SiC粉体表面涂覆、还原气氛下高温煅烧、混料、成型、Ar气氛保护烧结和冷却步骤。本发明制...
王浩杨小剑许建航
一种高体积分数SiC增强Al基复合材料的制备方法
本发明是一种高体积分数的SiC颗粒增强Al基复合材料的制备方法，包括SiC粉体的氧化处理、TiO<Sub>2</Sub>溶胶的制备、SiC粉体表面涂覆、还原气氛下高温煅烧、混料、成型、Ar气氛保护烧结和冷却步骤。本发明制...
王浩杨小剑许建航
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一种Si-SiC衬底材料及其制备方法
本发明是一种Si‑SiC导电衬底材料及其制备方法。该材料是一种由光伏硅切割废料制备的Si‑SiC导电衬底材料，按重量计其组成为：酸洗后的光伏硅切割固体废料65～99.5％、碳化硅0～30％、改性铝粉0.5％～5％。该材料...
王浩熊圣安杨小剑
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有机网络法合成AlN陶瓷粉体方法
本发明是一种有机网络法合成AlN陶瓷粉体的方法，该方法采用碳热还原法制备氮化铝，包括铝/碳前驱体溶胶的制备、铝/碳干凝胶的制备、铝/碳干凝胶的热处理、球磨细化、氮化反应和除碳步骤，具体是：采用有机物聚乙烯醇为碳源，六水氯...
王浩吴宇杨小剑
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