石登上
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西信息材料重点实验室更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金广西教育厅重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- BiYbO_3掺杂对KNN-LS压电陶瓷微结构与电性能的影响
- 2012年
- 采用传统陶瓷烧结工艺,制备了BiYbO3掺杂的xBiYbO3-0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05LiSbO3(xBY-KNN-LS)(x=0～0.002,摩尔分数)无铅压电陶瓷。研究了BiYbO3掺杂对陶瓷相结构、显微组织和电性能的影响。结果表明,随着BiYbO3掺杂含量的增加,晶粒变细,居里点逐步向低温方向移动,压电性能先增加后降低,介电损耗tanδ先增加后减小。在0≤x≤0.001 5的范围内,存在斜方相与四方相共存的准同型相界,当x=0.1%时得到最佳电性能:压电常数d33=245pC/N,机电耦合系数kp=44.75%,居里温度TC=365℃,tanδ=4.5%。
- 曾卫东刘心宇杨华斌周昌荣王华石登上
- 关键词：无铅压电陶瓷电性能
- 二次烧结对KNN-LS-Bi(Mg_(0.5)Ti_(0.5))O_3无铅压电陶瓷性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用传统固相烧结法和二次烧结工艺制备了xBi(Mg0.5Ti0.5)O3-0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3(xBMT-KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了二次烧结工艺对xBMT-KNN-LS陶瓷性能的影响。结果表明:采用传统的陶瓷烧结工艺所得到的性能为压电常数d33=220 pC/N、平面机电耦合系数kp=39.6%、介电损耗tanδ=6.38%。而采用二次陶瓷烧结工艺得到的最佳性能为d33=254 pC/N、kp=37.8%、tanδ=4.81%,因此,二次烧结对该体系的压电性能有显著的影响。
- 杨华斌刘心宇陈婷李生杰石登上
- 关键词：压电陶瓷铁电体
