周骏
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究
- 2017年
- 提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制,使得漂移区可以充分耗尽,提高了耐压。P区变掺杂可以提高N区浓度,降低了导通电阻。与常规二维类超结LDMOS结构相比,击穿电压提高了30%,导通电阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,实现了击穿电压与导通电阻的良好折中。
- 袁晴雯成建兵周骏陈珊珊吴宇芳王勃
- 关键词：击穿电压导通电阻
- 基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
- 2017年
- 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
- 周骏成建兵袁晴雯陈珊珊吴宇芳王勃
- 关键词：反型层
- 一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT被引量：2
- 2017年
- 提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。
- 陈旭东成建兵郭厚东滕国兵周骏袁晴雯
- 关键词：击穿电压负阻现象
