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马杨

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇探测器
  • 7篇光探测
  • 7篇光探测器
  • 6篇纳米
  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇纳米棒
  • 3篇纳米棒阵列
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模板
  • 2篇异质结
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇竖直
  • 2篇数量级
  • 2篇喷枪
  • 2篇喷涂
  • 2篇喷涂机
  • 2篇喷涂机器人
  • 2篇六次甲基四胺
  • 2篇楼顶

机构

  • 10篇合肥工业大学

作者

  • 10篇马杨
  • 7篇王敏
  • 7篇吴从军
  • 7篇许智豪
  • 3篇黄帆
  • 2篇王玉琳
  • 2篇李扬

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高层楼宇外壁智能喷涂机器人
本实用新型公开了一种高层楼宇外壁智能喷涂机器人，机器人由上机体和下机体组成，上机体安装在建筑物的楼顶上，由上机体中的卷扬设备通过绳索对下机体进行竖向提吊；下机体由吸附足附着在建筑物的外墙壁上，并能够利用吸附足实现在墙面上...
王玉琳姜春丽宋志坚贺兴隆刘佳俊李扬马杨刘恩贝
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高层楼宇外壁智能喷涂机器人及其控制方法
本发明公开了一种高层楼宇外壁智能喷涂机器人及其控制方法，机器人由上机体和下机体组成，上机体安装在建筑物的楼顶上，由上机体中的卷扬设备通过绳索对下机体进行竖向提吊；下机体由吸附足附着在建筑物的外墙壁上，并能够利用吸附足实现...
王玉琳贺兴隆姜春丽宋志坚刘佳俊李扬马杨刘恩贝
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一种短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器的构筑方法
本发明公开了一种短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器的构筑方法，首先，将平均直径为100纳米的ZnS纳米线以接近90°的角度转移到石墨烯条带上，构建由石墨烯条带与单根ZnS纳米线交叉的结构；之后，使用光刻技术，在与单根Zn...
王敏许智豪吴从军蔡曹元马杨
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一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途
本发明公开了一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途，其在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510 ℃氧化2 ‑2.5h，使其变成图形化的Z...
王敏马杨许智豪吴从军徐志勇杨金华贾良鹏
一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法
本发明公开了一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其包括 NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，...
王敏蔡曹元马杨黄帆贾飞翔许智豪吴从军
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基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器研究
具有特定成分的一维纳米材料被广泛用来提高光探测器性能，同时也可以用来实现器件的微型化。根据光探测器的工作模式，可将其分为两类:光电导探测器和光电二极管。就光电导探测器而言，吸收一个能量大于带隙能量的光子，就可以产生一对电...
马杨
关键词：光探测器ZNO纳米棒光导体
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一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法
本发明公开了一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其包括NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，晶...
王敏蔡曹元马杨黄帆贾飞翔许智豪吴从军
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一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法
本发明公开了一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法，包括以下步骤：(1)先在SiO<Sub>2</Sub>/Si基底上蒸镀CdS，然后在CdS薄膜上蒸镀ZnS；（2）在铜箔上生长出石墨烯，在生长有石墨烯的铜片表...
王敏贾飞翔黄帆许智豪蔡曹元吴从军马杨
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一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法
本发明公开了一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法，石墨烯的生长和转移后，利用掩膜板，在石墨烯/PET基底上沉积ZnSe微米带阵列，然后，通过掩模板使用电子束蒸发的方式在ZnSe/石墨烯异质结...
王敏吴从军马杨许智豪徐志勇杨金华贾良鹏
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一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途
本发明公开了一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途，其在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510℃氧化2‑2.5h，使其变成图形化的ZnO...
王敏马杨许智豪吴从军徐志勇杨金华贾良鹏
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