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吴正军

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
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相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇电特性
  • 3篇太阳电池
  • 3篇光电
  • 3篇光电特性
  • 2篇非晶硅
  • 2篇PIN
  • 1篇选择性发射极
  • 1篇数对
  • 1篇光电转换
  • 1篇光电转换效率
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅薄膜太阳电...
  • 1篇发射极
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇非晶硅薄膜太...
  • 1篇薄膜太阳电池
  • 1篇N型半导体
  • 1篇P型

机构

  • 3篇江南大学

作者

  • 3篇顾晓峰
  • 3篇吴正军
  • 1篇梁海莲

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响被引量：2
2010年
选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理量对太阳电池光电转换效率的影响。结果表明,发射区的最佳厚度约为0·6μm,该厚度下n+区的最佳掺杂浓度约为6×1020cm-3,增加n区浓度则会导致转换效率下降。在优化发射区方块电阻的基础上考虑少子寿命的优化,可获得高达19·16%的光电转换效率,接近当前较大面积同类太阳电池的最佳水平,为实际制备大面积高效单晶硅太阳电池提供了有益的参考。
吴正军梁海莲顾晓峰
关键词：太阳电池选择性发射极光电转换效率
陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响
2009年
利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。
吴正军顾晓峰
关键词：非晶硅太阳电池光电特性
缺陷浓度对非晶硅薄膜太阳电池性能的影响
2009年
利用一维微光电子结构分析工具AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Struc-tures-1D)研究了一种PIN结构的非晶硅基薄膜太阳电池的电流-电压特性。通过系统分析不同缺陷浓度对太阳电池光电特性的影响,探索了在不致严重影响器件性能情况下可容许的最高缺陷浓度。模拟结果表明,若半导体膜足够薄,在带边附近有很高的吸收系数,且具有满足一定条件的迁移率,则可使用含有相当高缺陷浓度(1016～1017cm-3数量级)的非晶硅基薄膜制造出性能良好的太阳电池。
吴正军顾晓峰
关键词：非晶硅太阳电池PIN光电特性
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