梁海峰
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程一般工业技术更多>>
- 采用印刷线路板加工工艺制作微腔等离子体阵列
- 采用印刷电路板工艺制作了微腔等离子体阵列,并测量了该阵列的放电特性。该工艺采用标准的印刷线路板工艺制作而成,可以降低微腔等离子体器件制作的难度和提高阵列的一致性。实验结果表明,限流电阻为10kΩ情况时,直径100μm,间...
- 孟令国刘纯亮梁海峰梁志虎
- 关键词：放电电流
- 文献传递
- 溅射工艺对于Zno/AIN/ZnO透明导电薄膜光学特性的影响
- 通过磁控溅射的方法制备 ZnO/Al-AlN/ZnO 透明导电薄膜,采用射频电源 ZnO 靶材和直流电源～靶来生长多层膜结构。研究不同衬底温度下薄膜的各种特性。研究表明,随着衬底温度的增加,薄膜的透射率提高,同时随着中间...
- 董菁吴胜利王丰梁海峰孟令国张劲涛
- 关键词：透明导电薄膜多层膜结构磁控溅射光学特性
- 文献传递
- 两种结构SED器件电子发射特性对比
- 文章中采用铝-氮化铝薄膜材料作为 SED 器件的电子发射层,采用磁控溅射的方法镀电子发射层,采用电子束蒸发的方法镀铬-铜-铬材料作为电极;电形成过程中采用电压幅值恒定、周期性重复的脉冲和电压幅值渐增的电压脉冲作为电极电压...
- 王辉梁海峰孟令国刘纯亮
- 关键词：表面传导电子发射显示器
- 文献传递
- SED电形成过程瞬态响应测量电路被引量：1
- 2009年
- 设计并制作了表面传导电子发射显示器(SED)电形成过程瞬态响应测量电路,该电路可以根据电形成过程中SED的阻值自动选择相应的测量电阻来测量SED的瞬态响应并将其记录下来。该电路可测量的SED阻值范围为50～3×105Ω,采样频率最大可达100kHz,量程切换时间为144μs,可以满足SED电形成过程中瞬态响应测量的要求。用该电路成功测量了SED样片在电形成过程中电阻的瞬时值,并给出了SED器件电压及SED电阻的变化曲线。实验结果表明运用该电路可研究电形成的详细过程。
- 王辉孟令国张玉娟刘纯亮梁海峰
- 关键词：SED测量电路
- ZnS∶Cu粉末交流电致发光器件特性研究被引量：3
- 2008年
- 以商用ZnS∶Cu交流电致发光粉作为发光层,以ITO作为电极制作了粉末交流电致发光器件。以交流脉冲方波为驱动电压,详细研究了外加电压的幅值,频率以及脉宽对其发光频谱及亮度的影响。实验结果表明当电压小于200 V,发光亮度随着电压的升高而缓慢增强,当电压大于200 V,随着电压的升高亮度准线性增强。随着驱动频率的增大,发光光谱的中心波长发生蓝移,从100 Hz时的504 nm(绿光)到100 kHz时的450 nm(蓝光),发光亮度随频率增加先快速增强然后逐渐趋于饱和,达到一个极值后开始减小。随着脉宽的增大,发光亮度线性增强。另外文章中对驱动频率影响发光光谱的原因进行了深入分析,这对进一步研究ZnS∶Cu交流电致发光粉的发光机理有着重要的作用。
- 王辉孟令国梁志虎刘纯亮梁海峰董菁
- 关键词：发光特性交流电致发光光谱蓝移
