石径
- 作品数：6 被引量：22H指数：2
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- 一种低功率高性能的VCO电路
- 本实用新型公开了一种低功率高性能的VCO电路，包括带隙基准电路、低压差线性稳压电路LDO、电流转换器电路和环形振荡器电路，所述带隙基准电路、低压差线性稳压电路、电流转换器电路和环形振荡器电路从左至右依次连接，所述带隙基准...
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- 文献传递
- 一种高精度低输出电压的带隙基准被引量：1
- 2018年
- 分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900mV。在-40℃~125℃温度范围内,温度系数低至3×10^(-6)/℃。低频时,电源抑制比达-109dB。
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- 关键词：带隙基准源电源抑制比
- PFM开关电源集成电路的抗电磁干扰设计被引量：11
- 2017年
- 针对脉冲频率调制(PFM)开关电源(SMPS)集成电路,提出了抗电磁干扰(EMI)设计的两种方法。通过采用零电流检测电路,控制开关电源集成电路中的开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在第一个谷底导通,从而降低导通电流的尖峰值。通过采用恒压和恒流设计技术,使开关电源集成电路中的电压和电流得到限制,有助于降低电流纹波。采用CSMC 1μm 40 V高压工艺设计了PFM开关电源集成电路SX1618,将以上两种抗电磁干扰设计方法应用在该电路的设计中,并设计了针对性的保护结构。完成SX1618整体仿真和版图设计后进行了流片和封装,并将其应用在实际的开关电源中,经测试,开关电源的抗电磁干扰能力符合标准。
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- 一种低功率高性能的VCO电路
- 本发明公开了一种低功率高性能的VCO电路，包括带隙基准电路、低压差线性稳压电路LDO、电流转换器电路和环形振荡器电路，所述带隙基准电路、低压差线性稳压电路、电流转换器电路和环形振荡器电路从左至右依次连接，所述带隙基准电路...
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- 文献传递
- 一种低功率高性能的VCO电路
- 本发明公开了一种低功率高性能的VCO电路，包括带隙基准电路、低压差线性稳压电路LDO、电流转换器电路和环形振荡器电路，所述带隙基准电路、低压差线性稳压电路、电流转换器电路和环形振荡器电路从左至右依次连接，所述带隙基准电路...
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- 一款高精度低功耗电压基准的设计与实现被引量：10
- 2017年
- 设计了一款高输出电压情况下的高精度低功耗电压基准电路。电路采用了比例采样负反馈结构达到较高和可控的输出电压,并利用曲率补偿电路极大地减小了输出电压的温度系数。针对较宽输入电压范围内的超低线性调整率规格,给出了多级带隙级联的电路结构。针对功耗和超低负载调整率的问题,电路采用了基于运算放大器的限流模式和内置大尺寸横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的设计。该电路在CSMC 0.25μm高压BCD工艺条件下进行设计、仿真和流片,测试结果表明,该电压基准输出电压为3.3 V,温度系数为19.4×10^(-6)/℃,线性调整率为5.6μV/V,负载调整率为23.3μV/V,工作电流为45μA。
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- 关键词：低功耗电压基准温度系数线性调整率负载调整率
