- NiO/g-C3N4修饰电极的制备及电催化检测抗坏血酸被引量：3
- 2017年
- 利用三聚氰胺制备石墨相的氮化碳,即g-C_3N_4,以氯化镍和g-C_3N_4为基础物质采用电沉积方法制备复合化学修饰电极。通过对裸电极、Ni O/GCE、g-C_3N_4/GCE和NiO/g-C_3N_4/GCE对抗坏血酸的催化效果的比较,发现NiO和g-C_3N_4的复合修饰电极对抗坏血酸具有良好的电催化氧化作用。扫描速率在70~200 m V/s范围内,峰电流与扫描速率呈良好的线性关系:I_(pa)=-34.14-1.167v,R=0.998;I_(pc)=53.42+0.357 8v,R=0.982。峰电位随扫描速率增大有一定的偏移,说明该修饰电极的氧化还原过程受表面控制。当抗坏血酸的质量浓度介于0.017 6~22.88μg/m L时,其氧化峰电流与质量浓度具有良好的线性关系,方程为:I_(pa)=-1.435+2.900C,R=0.998,检出限为0.008 8μg/m L。该传感器的选择性、重复性和稳定性良好,可用于果汁中抗坏血酸的检测。
- 李成朱南南王星谢静文刘素芹
- 关键词：氧化镍电沉积抗坏血酸修饰电极
