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王瑾

作品数:14 被引量:6H指数:1
供职机构:北京科技大学更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺医药卫生电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 6篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇半导体
  • 5篇半导体工艺
  • 4篇导体
  • 4篇光刻
  • 4篇GAN
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇氮化镓
  • 2篇异质结
  • 2篇源区
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇条形半导体激...
  • 2篇腔体
  • 2篇热电子
  • 2篇热电子晶体管
  • 2篇禁带
  • 2篇晶体管
  • 2篇开窗
  • 2篇宽禁带

机构

  • 14篇北京科技大学

作者

  • 14篇王瑾
  • 7篇郑新和
  • 7篇李美玲
  • 5篇侯彩霞
  • 1篇李静媛
  • 1篇张源
  • 1篇李建兴

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇1900
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法,属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板,在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层,在所述掩膜层上用P...
刘三姐郑新和彭铭曾侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
文献传递
自然保护区区际物种迁移廊道研究-以福建德化云豹为例
王瑾
关键词:自然保护区迁移意愿
《法国中尉的女人》-从小说到电影的演绎
王瑾
关键词:《法国中尉的女人》抨击小说电影
一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法
本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法,属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层,并在异质结上通过光刻技术生长电极;用离子刻蚀技术...
何荧峰郑新和彭铭曾卫会云刘三姐李美玲宋祎萌仇鹏安运来王瑾
文献传递
蛋白分子的胶囊装载及其释放
王瑾
关键词:层层自组装聚电解质藻蓝蛋白
微量Sr对Mg-0.2Zn-0.1Mn-xSr医用可降解镁合金显微组织、力学性能及腐蚀性能的影响被引量:6
2019年
主要研究了在Mg-0.2Zn-0.1Mn中添加微量的Sr后,Mg-0.2Zn-0.1Mn-x Sr(x=0.1,0.2,0.3)合金显微组织、力学性能及耐腐蚀性能的变化。显微组织观察结果表明,随着Sr含量增加,晶粒尺寸明显降低;Mg17Sr2相在镁基体中呈颗粒状均匀弥散分布,且Mg17Sr2相体积随着Sr含量增加而长大。室温拉伸试验结果表明,微量的Sr能够提高镁合金的抗拉强度和屈服强度,但延伸率却表现出下降的趋势。通过Kokubo模拟体液中的浸泡实验了解镁合金的降解行为。失重实验测得Mg-0.2Zn-0.1Mn-x Sr (x=0,0.1,0.2,0.3)腐蚀速率为:6.85、6.01、6.80和7.52 mm/a。微量Sr的添加能够提高镁合金的耐腐蚀性能;但随着Sr含量增加,镁合金更容易产生点蚀和晶间腐蚀,反而使镁合金耐腐蚀性能出现降低。这是因为添加微量Sr后镁合金晶粒细化,细小而弥散分布的Mg17Sr2相有助于腐蚀产物膜沉积形成对基体的保护,使得镁合金更耐蚀。而过大的Mg17Sr2相会加剧局部的微电偶腐蚀,破坏腐蚀产物膜,降低镁合金的耐腐蚀性能。结果表明Mg-0.2Zn-0.1Mn-0.1Sr具有最佳的力学性能和耐腐蚀性能配比。
余伟铭李静媛李建兴王瑾赖慧颖张源
关键词:镁合金显微组织耐腐蚀性能
脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法
本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法,属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀,形成P‑GaN有源区脊条,在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层;再沉积一层SiO<Sub...
王瑾郑新和刘三姐侯彩霞何荧峰李美玲
一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法,属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板,在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层,在所述掩膜层上用T‑ALD...
刘三姐郑新和彭铭曾侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
文献传递
一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法
本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法,属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层,并在异质结上通过光刻技术生长电极;用离子刻蚀技术...
何荧峰郑新和彭铭曾卫会云刘三姐李美玲宋祎萌仇鹏安运来王瑾
文献传递
硅衬底GaN基微盘激光器的设计与制备研究
硅衬底GaN基微盘激光器模式体积小、功耗低,在光电集成、单光子发射、化学生物探测等领域具有重要的应用前景。常规GaN基微盘激光器采用空气为光场限制层的“蘑菇状”结构,电注入难、热阻较高,仅实现了光泵浦激射。本论文围绕硅衬...
王瑾
关键词:微盘激光器GAN基激光器紫外激光器
共2页<12>
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