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冯玉霞

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇氮化镓
  • 5篇成核
  • 4篇氮化镓薄膜
  • 3篇氮化
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇氮化物
  • 2篇多晶
  • 2篇多普勒
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结构材料
  • 2篇阴离子
  • 2篇退火
  • 2篇离子
  • 2篇可集成
  • 2篇化合物
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化物
  • 2篇厚膜
  • 2篇高温退火

机构

  • 11篇北京大学

作者

  • 11篇沈波
  • 11篇杨学林
  • 11篇张洁
  • 11篇冯玉霞
  • 8篇王新强
  • 7篇许福军
  • 7篇唐宁
  • 4篇刘开辉
  • 4篇张智宏
  • 2篇徐越
  • 2篇吴珊
  • 2篇魏来
  • 2篇纪攀峰
  • 1篇杨志坚

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种In<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-x-y</Sub>N/GaN异质结构及其外延方法
本发明公布了一种高电学性能In<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑</Sub><Sub>y</Sub>N/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；...
杨学林沈波张洁程建朋冯玉霞纪攀峰
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一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO<Sub>2</Sub>层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO<Sub>2</Sub>衬底上；对单晶石墨烯表...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
文献传递
一种In&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;Al&lt;sub&gt;y&lt;/sub&gt;Ga&lt;sub&gt;1‑x‑y&lt;/sub&gt;N/GaN异质结构外延方法
本发明公布了一种高电学性能In<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑</Sub><Sub>y</Sub>N/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；...
杨学林沈波张洁程建朋冯玉霞纪攀峰
基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法
本发明公开了一种基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法，通过该方法获得的层状叠加AlN材料，从下向上依次为：纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层、高温AlN横向生长层和高温AlN纵向生长层，在纳米图形硅衬底、纳米图...
杨学林沈波沈剑飞张洁冯玉霞许福军王新强唐宁
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一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
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化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置...
杨学林沈波徐越吴珊宋春燕张洁冯玉霞许福军唐宁王新强
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一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法
本发明公开了一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法，在外延层生长之前预通氨气，对硅衬底进行氮化预处理，在硅衬底上形成一层无定形的氮化硅薄膜，从而形成一个铝原子扩散的壁垒，这个壁垒阻挡了铝原子扩散，从而降低了外延生长后...
杨学林沈波魏来张洁冯玉霞沈剑飞刘丹烁蔡子东马骋
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一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO<Sub>2</Sub>层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO<Sub>2</Sub>衬底上；对单晶石墨烯表...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法
本发明公布了一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法，在异质衬底上依次生长氮化铝成核层、铝镓氮层、氮化镓位错过滤层和氮化镓外延层，通过采用独特的氮化镓位错过滤层，有效克服了现有异质衬底上GaN厚膜材料外延技术上的复杂性...
杨学林沈波张洁冯玉霞沈剑飞魏来杨志坚王新强
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