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张秀兰

作品数：5 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇等离激元
  • 1篇电池
  • 1篇电化学
  • 1篇电解液
  • 1篇闪锌矿结构
  • 1篇砷化镓
  • 1篇太阳电池
  • 1篇气相外延
  • 1篇外延层
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇立方相
  • 1篇纳米
  • 1篇金纳米颗粒
  • 1篇金属
  • 1篇金属表面
  • 1篇金属有机物

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇华北电力大学
  • 1篇中国科学院力...

作者

  • 5篇张秀兰
  • 1篇林兰英
  • 1篇张泽洪
  • 1篇张宝顺
  • 1篇胡文瑞
  • 1篇冯志宏
  • 1篇王占国
  • 1篇陈良惠
  • 1篇黄大定
  • 1篇赵德刚
  • 1篇冯淦
  • 1篇陈诺夫
  • 1篇杨国华
  • 1篇宋书林
  • 1篇张富强
  • 1篇白一鸣
  • 1篇孙元平
  • 1篇尹志岗
  • 1篇朱文珍
  • 1篇沈晓明

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇科学通报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2005
  • 2篇2002
  • 1篇2001
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布被引量：3
2001年
通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 。
张秀兰朱文珍黄大定
关键词：电解液硅化锗载流子浓度
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
2002年
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .
沈晓明张秀兰孙元平赵德刚冯淦张宝顺张泽洪冯志宏杨辉
关键词：MOVPE金属有机物气相外延立方相氮化镓
电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布被引量：3
2002年
采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。
张秀兰张富强宋书林陈诺夫王占国胡文瑞林兰英
关键词：载流子浓度磁性半导体稀磁半导体闪锌矿结构
GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量
2005年
以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。
孙永伟张秀兰杨国华叶晓军陈良惠
关键词：砷化镓
金属表面等离激元增强聚合物太阳电池被引量：1
2012年
研究了Au纳米颗粒表面等离激元增强聚噻吩(P3HT)与富勒烯衍生物(PCBM)共混体系聚合物太阳电池的光电转换效率。Au纳米颗粒表面由双十烷基二甲基溴化铵(DDAB)修饰,能够均匀分散在活性层中。研究了Au纳米颗粒的质量分数对电池性能的影响,发现质量分数为1.2%时,电池性能最佳,转换效率高达3.76%,较未掺杂的参比电池相对提高约20%。掺入Au纳米颗粒后P3HT和PCBM共混膜光吸收显著增强,从而使电池外量子效率大大增加。电池效率的提升主要归结于Au纳米颗粒表面等离激元激发所引起的近场增强。
宋维高红丽白一鸣张秀兰尹志岗孟军华
关键词：金纳米颗粒等离激元
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