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李俊杰

作品数：185 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项北京市科技新星计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 179篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 57篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇农业科学
  • 1篇理学

主题

  • 78篇刻蚀
  • 68篇半导体
  • 57篇半导体器件
  • 50篇纳米
  • 38篇纳米线
  • 38篇沟道
  • 31篇电子设备
  • 23篇叠层
  • 22篇牺牲层
  • 20篇介质层
  • 18篇绝缘
  • 18篇衬底
  • 17篇隔离层
  • 15篇晶体管
  • 14篇平坦化
  • 13篇源区
  • 12篇电极
  • 12篇电路
  • 12篇光刻
  • 11篇漏电

机构

  • 185篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇贵州大学
  • 2篇北方工业大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 185篇李俊杰
  • 117篇李俊峰
  • 116篇王文武
  • 80篇杨涛
  • 76篇高建峰
  • 69篇李永亮
  • 58篇殷华湘
  • 46篇罗军
  • 38篇王桂磊
  • 29篇张青竹
  • 22篇朱慧珑
  • 22篇刘卫兵
  • 15篇赵超
  • 13篇刘金彪
  • 13篇贺晓彬
  • 12篇毛海央
  • 11篇傅剑宇
  • 8篇陈大鹏
  • 7篇张永奎
  • 6篇马雪丽

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇材料导报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇智能电网

年份

  • 13篇2024
  • 48篇2023
  • 13篇2022
  • 27篇2021
  • 41篇2020
  • 20篇2019
  • 13篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
共 185 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种ITO薄膜的图案化方法
本申请公开了一种ITO薄膜的图案化方法，该ITO薄膜的上方形成有图案化的掩模层，该方法包括：通过湿法腐蚀方法去除未被掩模层覆盖的ITO薄膜；去除掩模层，得到图案化的ITO薄膜；其中，湿法腐蚀方法采用的湿法腐蚀溶液为氧化性...
李俊杰胡艳鹏崔虎山杨涛李俊峰
文献传递
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其...
张青竹殷华湘曹磊张兆浩顾杰田佳佳李俊杰姚佳欣李永亮张永奎吴振华赵鸿滨罗军王文武屠海令叶甜春
热电堆及其制作方法
一种热电堆及其制作方法，热电堆的制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在热电堆结构上形成正面保护膜；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用湿法腐蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行刻蚀...
周娜雷雨潇李俊杰卢一泓高建峰杨涛李俊峰王文武
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层和第二堆叠层之间的介质层可以作为隔离层，第一堆叠层形成于纵向贯...
王桂磊亨利·H·阿达姆松孔真真李俊杰刘金彪李俊峰殷华湘
纳米线结构的制作方法
本申请提供了一种纳米线结构的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供一个衬底，并在衬底上形成依次远离衬底的第一半导体材料部与掩膜部；步骤S2，对第一半导体材料部进行表面处理，使得第一半导体材料部的表面部分形成第一表层；步...
李俊杰崔虎山朱慧珑赵超
文献传递
一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备
本发明提出了一种微电极结构及其制作方法，包括：衬底；在衬底上方形成的刻蚀终止层；在刻蚀终止层上方形成由电极层和牺牲层交错堆叠而成的堆叠层，牺牲层覆盖电极层的部分表面；在电极层的未被牺牲层覆盖的裸露部分上方形成的金属层；在...
李俊杰王桂磊李永亮周娜杨涛傅剑宇李俊峰殷华湘朱慧珑王文武
文献传递
堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法
本发明提供一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法，具体包括：提供衬底，衬底的一侧具有支撑部，在支撑部上具有交替层叠的牺牲层和沟道层，支撑部、牺牲层和沟道层构成鳍片；形成跨鳍片的假栅，并在假栅两侧形成侧墙；对鳍片进行刻蚀，形...
高建峰刘卫兵周娜李俊杰杨涛李俊峰罗军
一种半导体结构的制备方法及半导体结构
本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法中，在源极沟槽和漏极沟槽内外延生长源极晶体结构和漏极晶体结构的过程中，在不同取向的晶面相交前即停止外延生长，之后采用各向同性的金属材料填充不同取向的...
李俊杰刘恩序周娜高建峰李俊峰罗军王文武
一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法
本发明提供一种鳍状结构的制备方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层；基于第一牺牲层，形成若干分立的第一牺牲鳍；形成第二牺牲层，第二牺牲层覆盖第一牺牲鳍的顶层、侧壁以及第一介质层的顶层；去除第一牺...
李俊杰李永亮周娜王桂磊殷华湘杨涛李俊峰王文武
一种钽掩模的制备方法
本发明公开了一种钽掩模的制备方法，属于微电子制造技术领域，解决了现有技术中制备65nm或更小尺寸的MTJ单元需要配合较薄的钽硬掩模层，但钽膜层需要有足够的厚度来完成MTJ的完全刻蚀的矛盾，以及实际MTJ尺寸大于光刻尺寸的...
高建峰李俊杰刘卫兵李俊峰王文武
文献传递
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