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蒋红
作品数:
22
被引量:26
H指数:3
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中国科学院长春物理所
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金亿鑫
中国科学院长春物理所
张宝林
中国科学院长春物理所
周天明
中国科学院长春物理所
宁永强
中国科学院长春物理所
元光
中国科学院长春物理所
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1995
3篇
1994
1篇
1993
2篇
1992
1篇
1989
共
22
条 记 录,以下是 1-10
全选
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
消除相关气路流量波动的高精度质量流量控制设备
本实用新型属于一种在气体流量精确控制过程中,消除相关气路在调节改变某一气路和某几个气路气体流量时引起相关其它气路气体流量波动的一种装置。是在有单一公共运载气体源的气体流量精确控制设备中,增加一路装有一个通用的质量流量控器...
宋航
周天明
蒋红
张宝林
金亿鑫
文献传递
MOCVD法GaSb外延层特性研究
被引量:1
1994年
报导了应用MOCVD系统在半绝缘GaAs和n-GaSb衬底上外延生长的非故意掺杂GaSb外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了GaSb外延层的光学和电学性质。PL测量观察到两种主要的复合机制,D一A对复合和束缚激子复合的发光,其峰值能量位置分别出现在775meV和803.7meV,束缚激子蜂(未分辨开的)的半宽度为10.8meV。
蒋红
金亿鑫
周天明
张宝林
关键词:
锑化镓
外延层
MOCVD法
利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射
1995年
利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射元光,宋航,金亿鑫,张宝林,周天明,宁永强,蒋红,李树伟(中国科学院长春物理研究所,长春130021)如何实现硅基材料的发光,一直是很受重视的一个研究方向.以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶...
元光
宋航
金亿鑫
张宝林
周天明
宁永强
蒋红
李树伟
关键词:
硅基材料
锗
纳米
扫描透射电镜对GalnAsSb/GaSb异质结截面的研究
被引量:2
2000年
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。
张子旸
张宝林
周天明
蒋红
金亿鑫
李树玮
F.Schulze-Kraasch
关键词:
位错
层错
STEM
全文增补中
InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征
被引量:1
1997年
以三甲基铟(TMIn)、砷烷(AsH3)、三甲基镓(TMGa)和三甲基锑(TMSb)为源,用水平常压MOCVD技术,在较低的Ⅴ/Ⅲ比的条件下(1.5~4)于GaAs和GaSb衬底上成功地生长了InAs合金和InAs/GaSb异质结.实验表明,生长温度在500℃~620℃范围内,InAs外延生长是扩散控制的.在Ⅴ/Ⅲ比为2.5时,生长效率(相对Ⅲ族源)为3×103μm/mol.不掺杂InAs外延层为n型的,室温迁移率为2000cm2/V.s.InAs/GaSb异质结的12KPL谱为一个在375meV处较宽的与杂质相关的跃迁峰。
周天明
张宝林
蒋红
宁永强
李树纬
金亿鑫
关键词:
异质结
红外光电材料
砷化铟
锑化镓
p~+-GaInAsSb/p-GaInAsSb/n-GaSb异质结红外控测器
1996年
GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。
李树玮
金亿鑫
张宝林
周天明
蒋红
宁永强
元光
关键词:
红外探测器
红外辐射
MOCVD—InP的低温光致发光光谱
1989年
包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测量与光学测量的一致性。
舒占永
杜明泽
蒋红
洪春荣
元金山
金亿鑫
张新夷
关键词:
光致发光光谱
磷化铟
MOCVD
MOCVD法GaInAsSb合金的红外吸收与光致发光谱
1994年
用红外吸收、光致发光技术研究了常压MOCVD法未掺杂GaInAsSb合金的光学性质,用这两种方法测出的外延层禁带宽度与根据合金组分计算出的禁带宽度基本一致。在红外吸收谱与光致发光谱中观察到了低能带尾,并探讨了产生原因。
宁永强
金亿鑫
周天明
张宝林
蒋红
关键词:
MOCVD法
光学性质
用化学方法制备硅场发射阵列
被引量:3
1996年
利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。
元光
金长春
金亿鑫
宋航
荆海
朱希玲
张宝林
周天明
宁永强
蒋红
王惟彪
关键词:
真空
微电子
场发射
SEM
红外探测器
一种红外探测器,属于光探测器领域。本实用新型通过在材料生长过程中控制材料组分,生长出不掺杂的P-N结构,然后利用常规半导体器件工艺制成p<Sup>+</Sup>-p<Sup>-</Sup>-n<Sup>-</Sup>-n...
宁永强
周天明
张宝林
蒋红
金亿鑫
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