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张勇

作品数:34 被引量:60H指数:6
供职机构:西南大学物理科学与技术学院(电子信息工程学院)更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
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  • 2篇电气工程
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  • 1篇一般工业技术

主题

  • 22篇发光
  • 17篇有机发光
  • 15篇二极管
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  • 3篇光致发光
  • 2篇延迟荧光
  • 2篇荧光
  • 2篇有机电致发光

机构

  • 34篇西南大学
  • 3篇复旦大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇重庆师范大学

作者

  • 34篇张勇
  • 17篇熊祖洪
  • 13篇雷衍连
  • 10篇张巧明
  • 8篇陈平
  • 8篇刘荣
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传媒

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年份

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  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Alq3有机发光二极管中的激子湮灭过程及其磁场效应被引量:3
2011年
在基于Alq3的有机发光二极管中,器件的电致发光包括瞬时荧光与延迟荧光两部分.二者都可以受外加磁场影响,但对磁场的依赖关系不同.由此推导出了在不同磁场强度时瞬时光强度与延迟光强度和总发光强度之间的经验公式.基于对延迟光强度磁场效应的合理估计,分别计算了器件在不同温度、不同电流下的瞬时光与延迟光强度,以及二者随外加磁场的变化.利用Merrifield关于激子湮灭的唯象理论,深入分析了在完全有序和完全无序两种体系中的三重态激子湮灭过程及其磁场效应.
张勇张巧明刘亚莉熊祖洪
关键词:有机发光二极管延迟荧光磁场效应
具有提高空穴注入的InCl3水溶性功能缓冲层的简单有机磷光发光二极管
高春红王治强熊自阳马兴娟张勇陈平
关键词:空穴注入层有机发光二极管旋涂
电子传输层对有机电致发光器件磁效应的影响
2020年
本文以Alq3:Liq为电子传输层,运用光电磁一体化测量技术,研究了电子传输层对有机电致发光器件磁效应的影响.在不同电压和不同温度下,测量了器件(ITO/MoO3/NPB/Alq3/Alq3:Liq/CsCl/Al)的电流强度和电致发光强度随外加磁场作用的变化,深入研究了不同电压以及不同掺杂厚度器件的磁电导效应(MC)和磁电致发光效应(MEL),并且探讨了低温下器件的磁效应机制.实验发现,不同掺杂厚度器件的磁电导和磁电致发光效应都表现出不同变化,且相同掺杂厚度的器件在不同偏压和不同温度下的MC以及MEL曲线也有较为明显的规律.利用磁场调控的超精细相互作用(HFI)、单重态激子裂变(STT)和三重态-三重态激子淬灭(TTA)等磁效应理论,对器件的磁效应进行探讨.实验结果证明,通过改变电子传输层掺杂厚度,可以有效控制电子的注入,从而实现对发光层三重态激子浓度的调节,最终达到对有机磁效应的调控.本文对上述现象的研究进一步丰富了有机磁效应的实验规律,同时也提供了一种通过改变掺杂厚度实现有机磁效应调控的新方法.
钱雅翠牛连斌徐冲杨明军崔玉亭关云霞张勇
关键词:电子传输层
器件老化处理对有机发光磁效应的影响被引量:1
2012年
制备了基于小分子tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(III)(Alq3)的有机发光二极管,并在室温下对器件进行大电流老化处理;然后测量了器件的光电性能,以及电致发光磁效应(magneto-electroluminescence,MEL)随老化时间的变化关系.实验结果显示,经老化处理后,器件的发光效率降低、工作电压增大;但器件的MEL随老化时间则表现出先增加、后减小的特点,且其线型保持不变.基于器件光电性能退化的主要机制,分析了器件MEL发生非单调变化的可能原因,即器件中形成了对发光激子有淬灭作用的Alq3阳离子,该阳离子引起发光强度的减弱造成MEL在短时间处理后增加,而阴极/Alq3界面的退化导致发光层中电场的增大则引起器件MEL的减小.这对理解有机发光的退化机制和有机磁效应的形成机制具有较好的促进作用.
张巧明雷衍连陈丽佳陈林张勇游胤涛熊祖洪
有机发光二极管中不同金属电极引起的奇特磁效应被引量:1
2012年
采用三类金属阴极材料Ca,Al和Cu(Au)通过分子束沉积和电子束加热方式制备了有机发光二极管ITO/CuPc/NPB/Alq3/金属阴极,并在300,200,150,100,50和15K6个温度下,分别测量了不同电极器件的发光随外加磁场的变化(即Magneto-ElectroLuminescence,MEL).在室温300K下,发现Ca,Al和Cu(Au)电极器件的MEL在低场(0B50mT)均表现为快速上升;但随磁场(B>50mT)的进一步增大,Ca和Al电极器件的MEL缓慢变大并逐渐趋于饱和,且与阴极的制膜方式无关;而采用电子束加热方式制备的Cu(Au)电极器件,其MEL却表现出高场缓慢下降;且温度越低,该类Cu电极器件MEL的高场下降更为显著.实验研究表明,Ca和Al电极器件的MEL主要是由超精细耦合作用随外加磁场变化引起的.但电子束加热方式制备的Cu(Au)电极器件的MEL除了超精细耦合作用引起的低场快速上升外,其高场下降的可能机制则是:Cu(Au)电极器件中电子-空穴对的俘获区(e-hCapture Zone)靠近阴极界面,相比较于热蒸发的方式,电子束蒸发的方式更容易使重金属Cu(Au)原子得到更高的能量,使其渗透进相邻的有机层Alq3中,Cu(Au)原子的强自旋轨道耦合作用导致电子-空穴对发生自旋翻转,此为MEL出现高场下降的原因.
陈林雷衍连张巧明张勇游胤涛熊祖洪
关键词:磁效应
利用瞬态荧光技术研究单重态激子裂变的温度依赖关系被引量:4
2017年
单重态激子的裂变过程被视为一种可以提高光伏器件能量转化效率的有效途径,然而对该过程是否需要热激发的问题一直存在争论.本实验以红荧烯分子为研究对象,通过双源共蒸发的方法制备了4种红荧烯掺杂的混合薄膜,并在不同温度下分别测量了混合薄膜的光致发光谱及其瞬态衰减曲线.理论上,基于"S_1+S_0?~1(TT)_i?T_1+T_1"三状态反应模型,采用耦合的速率方程组对所有的发光衰减曲线进行拟合,得到了激子裂变过程中所涉及的重要速率常数.对速率常数的分析表明,"S_1+S_0?~1(TT)_i"过程的速率随温度的变化关系符合Arrhenius定律,证实了与红荧烯分子类似的、属于吸热反应的激子裂变过程都需要热激发.进一步,根据分子反应理论的细致平衡条件与Arrhenius公式,由实验确定的吸热反应的能量差值也与理论值相吻合.以上这些结果对于澄清激子裂变的微观图像与物理机制具有重要价值.
周亮田晓语孟妍陈茜张勇
有机发光器件中的塞曼分裂和三重态激子的湮灭被引量:12
2009年
制备了结构为ITO/α-NPD/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管,并在12,150,200K和室温4种温度下,测量了该器件的电流与电致发光两者的磁场效应.发现在不同温度下,磁场均能显著改变器件的电流和电致发光.在低温(如12~150K)下,电致发光的磁场效应与器件的偏压(对应一定大小的注入电流)有很强的依赖关系,即高偏压时,发光呈现先随磁场增加而快速增强,在50mT处达到最大值后却又随磁场增加而减弱,且偏压越大该减弱越明显,而小偏压时则没有出现饱和之后又衰减的现象.具有相同电流密度的高温(如200K到室温)情况时,各种偏压下也没有发现发光随磁场增加而减弱的趋势.电流的磁效应则在所有温度和所有偏压下都表现为随着磁场增加而增大,并在一定磁场后趋于饱和.此现象可归结为磁场抑制了单重态极化子对到三重态极化子对的系间窜越和磁场减弱了三重态激子对(triplet-triplet pairs)间相互淬灭过程的结果.
刘荣雷衍连张勇王振熊祖洪
关键词:有机发光二极管磁场效应
DCM染料掺杂对有机电致发光磁效应的影响被引量:6
2009年
制备了DCM染料掺杂的有机电致发光器件ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al,研究了15K^R.T.(室温)温度范围内,器件的电致发光随磁场的变化关系(即电致发光的磁效应).发现电致发光的磁效应由低场(0≤B≤40mT)效应和高场(B≥40mT)效应两部分组成.室温下,对于未掺杂的参考器件,发光在低场部分随磁场的增加迅速增强,高场部分随磁场的增加缓慢并逐渐趋于饱和.而对于掺杂器件,尽管发光在低场部分随磁场也迅速增强,但高场部分却在低场增加的基础上出现下降.器件的注入电流越大,发光在高场下降越明显.低温下(T≤150K),尽管未掺杂器件电致发光的磁效应的高场部分也出现减弱趋势,但掺杂样品的高场部分受温度的影响要远弱于未掺杂样品的结果.基于掺杂引起的能级陷阱效应,通过讨论外磁场作用下的三重态激子淬灭过程,我们对实验结果进行了定性解释.
陈平雷衍连刘荣张巧明张勇熊祖洪
关键词:染料掺杂
电子自旋共振实验中自旋弛豫时间的测定被引量:2
2015年
介绍了电子自旋共振实验的基本原理和实验方法.利用实验教学仪器,首次测量了DPPH样品中未成对电子的自旋弛豫时间.实验中,利用RC移相电路消除了磁共振信号与扫场电压信号之间90°的相位差.在示波器的X-Y显示模式下,得到了磁共振信号的准确波形.根据磁共振的理论公式,以及测得的共振信号的半高宽度,计算出了DPPH样品中的电子自旋弛豫时间.
刘少华刘闰赵黎明张勇
关键词:电子自旋共振朗德G因子
有机发光二极管中的磁效应调控
熊祖洪雷衍连张勇宋群梁
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