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杨发顺

作品数:138 被引量:111H指数:5
供职机构:贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金贵州省科学技术基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个安徽省
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  • 1个北京市
  • 1个山东省
54 条 记 录,以下是 1-10
马奎
供职机构:贵州大学
研究主题:占空比 过热保护 芯片 电路 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
傅兴华
供职机构:贵州大学
研究主题:超导薄膜 硼化镁 化学气相沉积 过热保护 超导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林洁馨
供职机构:贵州大学
研究主题:功率半导体 过热保护 功率VDMOS器件 片层 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁召
供职机构:贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
研究主题:GAAS STM 分子束外延 探针 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周章渝
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:超导薄膜 MGB_2 MGB2 HPCVD MGB2超导薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨健
供职机构:贵州大学
研究主题:超导薄膜 硼化镁 超导 化学气相沉积 MGB_2
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王松
供职机构:贵州大学外国语学院
研究主题:超导薄膜 MGB_2 MGB2 化学气相沉积 MGB2超导薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王代强
供职机构:贵州大学
研究主题:ALN薄膜 FPGA 硅基 插入损耗 IDT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桥
供职机构:贵州大学大数据与信息工程学院
研究主题:FPGA 半导体 电流 恒流二极管 单片机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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