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纪攀峰

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

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王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伊晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔庆峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 多量子阱 外延片 LED外延片 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李京波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：掺杂 电极 氮化物 半导体材料 线偏振
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡强
供职机构：四川大学
研究主题：衬底 进气 中子嬗变掺杂 厚膜 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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