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谭长华

作品数：95 被引量：66H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
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相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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地区

  • 33个北京市
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共 39 条 记 录，以下是 1-10
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件 可靠性 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛凌锋
供职机构：苏州大学
研究主题：FN振荡电流 直接隧穿 场效应晶体管 MOS结构 ULTRATHIN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段小蓉
供职机构：北京大学
研究主题：软击穿 超薄栅氧化层 MOS器件 N-MOSFET 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王阳元
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卫建林
供职机构：北京大学
研究主题：直接隧穿 FN振荡电流 可靠性 MOS器件 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何燕冬
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 沟道 漏极 阈值电压 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晓卫
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 陷阱电荷 氧化层 分析方法 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
穆甫臣
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：欧姆接触 可靠性 扩散阻挡层 砷化镓 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡靖
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：PMOSFETS V MOSFET LIFETIME DEGRADATION
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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