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赵有文

作品数:113 被引量:105H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>

领域

  • 78个理学
  • 74个电子电信
  • 34个金属学及工艺
  • 32个一般工业技术
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  • 27个电气工程
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主题

  • 57个单晶
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  • 27个GA
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  • 24个砷化铟

机构

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  • 2个北京大学
  • 2个北京师范大学
  • 2个吉林大学
  • 2个专用集成电路...
  • 1个复旦大学
  • 1个广西大学
  • 1个合肥工业大学

资助

  • 70个国家自然科学...
  • 24个国家高技术研...
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  • 10个国家重点实验...
  • 10个中国科学院知...
  • 8个中国博士后科...
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  • 6个河北省自然科...
  • 5个国家教育部博...
  • 5个中国科学院科...
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传媒

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  • 11个光电子.激光
  • 11个光学学报
  • 11个光子学报
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  • 8个红外与激光工...

地区

  • 58个北京市
  • 11个四川省
  • 5个湖北省
  • 3个安徽省
  • 3个河北省
  • 2个江苏省
  • 1个吉林省
  • 1个辽宁省
  • 1个山东省
  • 1个广东省
87 条 记 录,以下是 1-10
董志远
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
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杨俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 衬底
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段满龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
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刘京明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:锑化镓 砷化铟 单晶片 GASB 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢辉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化铟 锑化镓 单晶片 衬底 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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孙文荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
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魏学成
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 ZNO单晶 氮化镓 大尺寸 ZNO
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王应利
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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