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王晓晖

作品数：60 被引量：105H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 52 条 记 录，以下是 1-10
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
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陆大成
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOVPE GAN MOVPE生长 MOCVD
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汪度
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOVPE 氮化镓 GAN MOVPE生长 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
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袁海荣
供职机构：云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所
研究主题：GAN MOVPE XGA 氮化镓 GAN外延层
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韩培德
供职机构：太原理工大学
研究主题：第一性原理 电子结构 第一性原理研究 光子晶体 洋葱状富勒烯
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陈振
供职机构：中国科学院
研究主题：GAN 氮化镓 MOCVD INGAN MOVPE
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董建荣
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：电池 隧道结 太阳能电池 衬底 光伏电池
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陆沅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅衬底 氮化物 缓冲层 SI GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎大兵
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：ALGAN 氮化物 紫外探测器 石墨烯 衬底
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