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任琮欣

作品数:40 被引量:62H指数:5
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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相关领域:一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

领域

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主题

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机构

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地区

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60 条 记 录,以下是 1-10
柳襄怀
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束 离子束增强沉积 离子束辅助沉积 离子注入 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江炳尧
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束辅助沉积 离子注入 钼栅极 电子发射 低能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈国梁
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:超导薄膜 YBA 超导膜 YBACUO 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯涛
供职机构:华东师范大学
研究主题:碳纳米管 场发射 离子束辅助沉积 场发射显示器 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李贻杰
供职机构:上海交通大学
研究主题:超导转变 金属基带 超导薄膜 REBCO 高温超导带材
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建民
供职机构:中国科学院上海冶金研究所
研究主题:YBA 超导体 超导薄膜 钇 红外光谱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋军
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束辅助沉积 性能研究 碳纳米管 钼栅极 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宏
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:YBCO 超导体 临界电流密度 贮氢合金 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑志宏
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束辅助沉积 铪 离子注入 离子束增强沉积 性能研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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