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杨端良

作品数：5 被引量：3H指数：1
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共 4 条 记 录，以下是 1-4
钮利荣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 单片开关 射频开关 GAAS 机用
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐筱乐
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：离子注入 砷化镓 GAALAS/GAAS 平面波导 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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