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钱峰

作品数：52 被引量：85H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 79 条 记 录，以下是 1-10
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 手机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑惟彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微机械开关 砷化镓 射频微机械开关 共平面波导 MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓鹏
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP 磷化铟 GS DHBT 电流舵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
应海涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 GAAS_HBT 插入损耗 LTCC 反射损耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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