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丁芃

作品数：38 被引量：61H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
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苏永波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：磷化铟 INP DHBT INP基 W波段
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刘发民
供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院
研究主题：溶胶-凝胶法 光学性质 和光 射频磁控溅射 SIO
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
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常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
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孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
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刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
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陈弘
供职机构：中国汽车技术研究中心
研究主题：汽车碰撞试验 汽车试验 发光二极管 多量子阱 分子束外延
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戴隆贵
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：纳米光刻 干法刻蚀技术 激光干涉光刻 刻蚀 光栅图形
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姚鸿飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：毫米波 全相参 W波段 磷化铟 INP基
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