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王立新

作品数：105 被引量：101H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙博韬
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 栅氧化层 氧化层 VDMOS 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 绝缘栅双极晶体管 集成电路 栅氧化层 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彦飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 功率VDMOS器件 氧化层 功率器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：漂移区 VDMOS LDMOS 功率VDMOS器件 晶闸管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：负温度系数 电性能参数 退火效应 热敏电阻材料 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖超
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 VDMOS 热阻 掺杂 MOS晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡小五
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 晶体管 栅氧化层 SOI 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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