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许胜国

作品数：8 被引量：15H指数：3
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

  • 6个电子电信
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  • 4个自动化与计算...
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  • 2个文化科学
  • 1个经济管理
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  • 1个机械工程
  • 1个动力工程及工...

主题

  • 7个隧穿
  • 7个隧穿电流
  • 6个小尺寸
  • 5个电特性
  • 5个短沟道
  • 5个短沟道MOS...
  • 5个短沟道效应
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  • 3个单片
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  • 3个电子迁移率
  • 3个叠层
  • 2个带隙基准

机构

  • 7个华中科技大学
  • 1个湖南工业大学
  • 1个湖北工学院
  • 1个江汉大学
  • 1个湖南科技大学
  • 1个湘潭师范学院
  • 1个华中理工大学

资助

  • 7个国家自然科学...
  • 6个湖北省自然科...
  • 2个国家重点实验...
  • 2个湖南省教育厅...
  • 1个高等学校骨干...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个湖南省自然科...
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  • 1个湖南省科技重...
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传媒

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  • 2个人工晶体学报
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  • 2个电子元件与材...
  • 2个湘潭师范学院...
  • 1个光电子．激光
  • 1个电子学报
  • 1个中国激光
  • 1个计算机工程与...
  • 1个微机发展
  • 1个中国有线电视

地区

  • 6个湖北省
  • 1个湖南省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
徐静平
供职机构：华中科技大学
研究主题：高K栅介质 MOS电容 MOSFET 栅介质 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫兵
供职机构：湖南工业大学计算机与通信学院
研究主题：高K栅介质 MOSFET 阈值电压 短沟道效应 电路设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳萍
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题：MOSFET 高K栅介质 阈值电压 短沟道效应 阈值电压模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季峰
供职机构：华中科技大学
研究主题：高K栅介质 阈值电压 MOS器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 HFO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹晓
供职机构：华中科技大学
研究主题：界面层 MOS电容 栅介质 高K栅介质 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡致富
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题：MOSFET 解析模型 小尺寸 隧穿电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宗林
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题：MP3解码器 FPGA验证 AMBA 新型多媒体 软硬件协同验证
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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