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赵发展

作品数：249 被引量：33H指数：3
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 输入端 存储器 单粒子翻转 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 背栅 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘鑫
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：探测电路 电路 SRAM 反相器 漏极
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蔡小五
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 晶体管 栅氧化层 SOI 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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