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张静

作品数:82 被引量:50H指数:4
供职机构:中国电子科技集团更多>>
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108 条 记 录,以下是 1-10
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘道广
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
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徐婉静
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:PMOSFET SIGE SI 分子束外延 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构:电子科技大学
研究主题:SIGE MOS器件 CMOS 沟道 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健安
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 模数转换器 采样开关 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈光炳
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 电路 采样开关 逐次逼近型模数转换器 模数转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李开成
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:分子束外延 SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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