2024年12月27日
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段满龙
作品数:
32
被引量:54
H指数:4
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
金属学及工艺
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合作作者
赵有文
中国科学院大学材料科学与光电技...
董志远
中国科学院半导体研究所
孙文荣
中国科学院半导体研究所
杨俊
中国科学院半导体研究所
王应利
中国科学院半导体研究所
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赵有文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
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董志远
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
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孙文荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
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杨俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 衬底
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王应利
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
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刘刚
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 单晶生长 INAS INP单晶 磷化铟
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杨子祥
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 半导体材料 孪晶 抛光 衬底
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王俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
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吕旭如
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 半导体材料 孪晶 抛光 固液界面
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胡炜杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 衬底 INAS INP 表面形貌
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