2025年1月23日
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毕津顺
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211
被引量:60
H指数:5
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
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合作作者
韩郑生
中国科学院微电子研究所
罗家俊
中国科学院微电子研究所
海潮和
中国科学院微电子研究所
卜建辉
中国科学院微电子研究所
刘明
中国科学院微电子研究所
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韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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海潮和
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
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卜建辉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 模型参数
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刘明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
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刘刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
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曾传滨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
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宿晓慧
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 单粒子瞬态脉冲 脉冲宽度测量 测量电路 反相器
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李博
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 埋氧层 背栅
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研究领域
刘梦新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 反相器
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