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洪根深

作品数：139 被引量：73H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
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领域

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机构

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地区

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  • 1个湖南省
  • 1个广东省
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谢儒彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 单粒子 总剂量 总剂量辐射 场区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海铭
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐政
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 多晶 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王印权
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 半导体工艺 浮栅 编程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴素贞
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 反熔丝 淀积 多晶 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国柱
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李燕妃
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 发射结 抗辐射加固 NPN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾祥
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 SOI器件 SOI工艺 抗ESD 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺琪
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 NPN 高抗 发射结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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