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吕旭如

作品数：5 被引量：17H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

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地区

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共 12 条 记 录，以下是 1-10
孙文荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨子祥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 孪晶 抛光 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段满龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志远
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王应利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹慧梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 孪晶 磷化铟 固液界面 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建群
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 单晶 孪晶 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦景华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 孪晶 半绝缘 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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