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赵远远

作品数：11 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

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地区

  • 20个四川省
共 20 条 记 录，以下是 1-10
乔明
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 半导体功率器件 功率半导体器件 比导通电阻 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡曦
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 高压器件 薄层 高压集成电路 元胞
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王猛
供职机构：电子科技大学
研究主题：高压器件 数字下变频 半导体功率器件 宽带 存储资源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庄翔
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：半导体功率器件 高压器件 负电源 击穿电压 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何逸涛
供职机构：电子科技大学
研究主题：恒流二极管 半导体功率器件 半导体技术 芯片面积 垂直型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章文通
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 比导通电阻 硅电极 功率半导体器件 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗波
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 高压器件 寄生效应 薄层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王伟宾
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：LDMOS器件 击穿电压 导通电阻 场板 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赖力
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率因数校正电路 全数字 薄层 半导体功率器件 高速模数转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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