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李诚瞻

作品数：88 被引量：31H指数：3
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史晶晶
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：碳化硅 外延层 欧姆接触 碳化硅器件 SBD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵艳黎
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：外延层 碳化硅 场限环 功率器件 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘可安
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：控制系统 交流传动 碳化硅 电传动系统 直线感应电机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴佳
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：外延层 碳化硅 场限环 功率器件 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘果果
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 电流崩塌 DOHERTY功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑英奎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN/GAN GAN 电子束光刻 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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