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张伟

作品数：29 被引量：27H指数：3
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
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共 63 条 记 录，以下是 1-10
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉东
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE HBT SIGE_HBT SOI UHV/CVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李希有
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT RIE 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李高庆
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 锗硅异质结双极晶体管 发射极 发射区 多晶硅发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊小义
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT HBT SIGE 微波 DOUBLE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付军
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周卫
供职机构：清华大学
研究主题：晶圆片 半导体制造设备 激光 半导体制造技术 激光加工
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈长春
供职机构：信阳师范学院物理与电子信息工程学院
研究主题：SIGE 超晶格薄膜 单片 HBT 红外加热
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