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Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究被引量:1
2008年
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究。结果表明,在N2气中550°C退火3 min对材料的电学性能有明显的改善作用。
陈亮亢勇赵德刚李向阳龚海梅
关键词:感应耦合等离子体铝镓氮X射线光电子能谱
Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀AlGaN的研究
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在 AlGaN 基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了 ICP 与 RIE,ECR 等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用 Ni 作为掩膜,Cl/Ar/BCl作为刻蚀气体,对金属有机化学气...
陈亮亢勇朱龙源赵德刚李向阳龚海梅
关键词:感应耦合等离子体铝镓氮俄歇电子能谱
文献传递
Nonselective etching of GaN/AlGaN heterostructures by Cl2/Ar/BCl3 inductively coupled plasmas被引量:6
2004年
A systematic study of the nonselective and smooth etching of GaN/AIGaN het-erostructures was performed using C12/Ar/BCI3 inductively coupled plasmas (ICR).Nonselective etching can be realized by adjusting the BCI3 ratio in the Cl2/Ar/BCI3 mixture (20%—60%), increasing the ICR power and dc bias, and decreasing the chamber pressure. Surface morphology of the etched heterostructures strongly depends on the gas chemistry and the chamber pressure. Specifically, with the addition of 20% BCI3 to Cl2/Ar (4:1) gas mixture, nonselective etching of GaN/Al0.28Ga0.72N heterostructures at high etch rate is maintained and the surface root-mean-square (rms) roughness is reduced from 10.622 to 0.495 nm, which is smoother than the as-grown sample. Auger electron spectroscopy (AES) analysis shows that the effective removal of residual oxygen from the surface of AIGaN during the etching process is crucial to the nonselective and smooth etching of GaN/AIGaN herterostructures at high etch rate.
HAN YanjunXUE SongWU TongWU ZhenGUO WenpingLUO YiHAO ZhibiaoSUN Changzheng
关键词:GANICP
Modeling of an Inductively Coupled Cl2/Ar Plasma Using Neural Network
asma process has gained widespread use in the manufacture of micro- and nano- electronics technology since it ...
Moonkeun KimHanbyeol JangYong-Hwa LeeKwang-Ho Kwon
关键词:NEURALCL2/ARCOUPLEDPLASMALANGMUIRPROBE
Inductively coupled plasma etching of In1-x-yAlxGayAs in BCl3/Cl2/Ar
In this paper, dry etching of In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As/In1-xAlxAs (In1-x-yAlxGayAs) epitaxy material was stud...
TANG HengjingNING JinhuaZHANG KefengWANG YangLI Xue
关键词:ICPINGAASINALAS
文献传递
(Cl2:Ar) ICP/RIE Dry Etching of Al(Ga) Sb FOR AlSb/InAs HEMTs
Dry etching of AlSb and Al0.80Ga0.20Sb has been performed by inductively coupled plasma/reactive ion etching b...
Lefebvre, Eric
Dry plasma etching of GaAs vias using BCl3/Ar and Cl2/Ar plasmas
We report the development and characterizations of GaAs via hole processes using BCl$-3$//Ar and Cl$-2$//Ar pl...
Yuwen Chen
ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响被引量:4
2018年
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性。对于GaAs样品刻蚀,刻蚀气体中Cl2含量越高,刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重。Cl2/BCl3对GaAs的刻蚀速率比Cl2/Ar慢,但刻蚀后样品的表面粗糙度比Cl2/Ar小。刻蚀InP时的刻蚀速率比GaAs样品慢,且存在图形侧壁倾斜现象。该工作有助于推动在器件制备工艺中以光刻胶作为掩模进行ICP刻蚀,从而提高器件制备效率。
李雅飞李晓良马英杰陈洁珺徐飞顾溢
关键词:ICP刻蚀CL2/AR
Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量:2
2012年
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。
郭帅周弘毅陈树华郭霞
关键词:感应耦合等离子体CL2/AR
Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺被引量:7
2006年
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar刻蚀GaN基片的刻蚀速率、表面形貌,以及制作n型电极后的比接触电阻.
刘北平李晓良朱海波
关键词:干法刻蚀感应耦合等离子体GAN刻蚀速率CL2/AR

相关作者

陈亮
作品数:20被引量:44H指数:3
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:紫外探测器 ALGAN GAN P-I-N 背照式
李向阳
作品数:363被引量:388H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 紫外探测器 GAN 探测器 HGCDTE
顾溢
作品数:141被引量:89H指数:4
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 INGAAS INP基 缓冲层 光电探测器
龚海梅
作品数:454被引量:605H指数:13
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:红外探测器 碲镉汞 INGAAS 铟镓砷 杜瓦
郭霞
作品数:190被引量:265H指数:9
供职机构:北京工业大学
研究主题:垂直腔面发射激光器 发光二极管 欧姆接触 欧姆接触电极 半导体光电子器件