谭静
作品数: 6被引量:5H指数:2
  • 所属机构:电子科技大学
  • 所在地区:四川省 成都市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家重点实验室开放基金

相关作者

李竞春
作品数:69被引量:73H指数:5
供职机构:电子科技大学
研究主题:SIGE MOS器件 CMOS 沟道 SIGE_HBT
杨谟华
作品数:114被引量:213H指数:7
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
徐婉静
作品数:17被引量:17H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:PMOSFET SIGE SI 分子束外延 SIGE_HBT
张静
作品数:82被引量:53H指数:4
供职机构:中国电子科技集团
研究主题:SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
梅丁蕾
作品数:8被引量:32H指数:4
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题:CMOS SIGE 高速比较器 锁存器 锁存比较器
应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺
2005年
为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏。霍尔测试得表面电子迁移率为1 117cm2/V.s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64 V。
谭静李竞春杨谟华徐婉静张静
关键词:STRAINEDSICMOS离子注入
SiGe HCMOS IC关键工艺技术研究
由于Si材料受迁移率低、禁带宽度固定等性质的限制,SiGe材料在微电子领域中受到越来越多的关注。在SiGe虚拟衬底上生长应变Si层做器件沟道,将大大增加载流子的迁移率,从而提高器件的跨导和其他性能。但是由于工艺条件的特殊...
谭静
关键词:SIGE材料载流子迁移率优化设计
采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET
2006年
针对S i/S iG e p-M O SFET的虚拟S iG e衬底厚度较大(大于1μm)的问题,采用低温S i技术在S i缓冲层和虚拟S iG e衬底之间M BE生长低温-S i层。S iG e层应力通过低温-S i层释放,达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,S i0.8G e0.2层厚度可减薄至300 nm,其弛豫度大于85%,表面平均粗糙度仅为1.02 nm。试制出应变S i/S iG e p-M O SFET器件,最大空穴迁移率达到112 cm2/V s,其性能略优于目前多采用1μm厚虚拟S iG e衬底的器件。
李竞春谭静梅丁蕾张静徐婉静
关键词:锗硅
C市农商银行运营流程再造持续改善研究
过去,银行将产品、成本、营销技能视为竞争的着力点,但随着各银行金融产品同质化,通过传统的竞争模式取得成功已不切实际。加之互联网技术的发展,以其为代表的现代信息科技正逐步对人类金融模式产生影响,人类对于金融产品及服务的需求...
谭静
文献传递
低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究被引量:3
2005年
 分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈值电压为1.2V;在700°C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52μm/4.5μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300K),阈值电压为0.4V。
谭静李竞春杨谟华徐婉静张静
关键词:栅介质MOS器件
Strained-Si pMOSFETs on Very Thin Virtual SiGe Substrates被引量:2
2005年
Strained-Si pMOSFETs on very thin relaxed virtua l SiGe substrates are presented.The 240nm relaxed virtual Si 0.8 Ge 0.2 layer on 100nm low-temperature Si(LT-Si) is grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy.LT-Si buffer layer is used to release stress of the SiGe layer so as to make it relaxed.DCXRD,AFM,and TEM measurements indicate that the strain relaxed degree of SiGe layer is 85%,RMS roughness is 1.02nm,and threading dislocation density is at most 107cm -2 .At room temperature,a maximum hole mobility of strained-Si pMOSFET is 140cm2/(V·s).Device performance is comparable to that of devices achieved on several microns thick relaxed virtual SiGe substrates.
李竞春谭静杨谟华张静徐婉静
关键词:STRAINED-SIPMOSFET