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中国博士后科学基金(20060400427)

作品数:2 被引量:4H指数:2
相关作者:林惠旺阮勇刘理天任天令谢丹更多>>
相关机构:清华大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇压电
  • 2篇铁电
  • 2篇PZT
  • 2篇PZT薄膜
  • 2篇MOCVD
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇任天令
  • 2篇刘理天
  • 2篇阮勇
  • 2篇林惠旺
  • 1篇谢丹

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
PZT薄膜的MOCVD制备技术被引量:2
2008年
采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术(DLI-MOCVD)制备Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜(PZT薄膜),并进行了相关研究,通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数(温度、压力、系统的气体(Ar,O2)流量、衬底转速、蠕动泵速),制备不同组分PZT薄膜(均匀性≥±95%,尺寸为2.54—20.32cm(1—8in),厚度为50—500nm).经XRD测试可见,PZT薄膜已形成钙钛矿结构.用SEM对其表面进行分析,结果表明,PZT薄膜表面致密均匀.
阮勇谢丹任天令林惠旺刘理天
关键词:压电铁电
MOCVD制备PZT薄膜技术研究被引量:2
2008年
采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb(ZkTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速等,制备不同组分PZT薄膜;给出了不同衬底的PZT淀积结果。PZT薄膜的均匀性大于±5%,尺寸为25~200mm,厚度50~500m。经XRD测试,可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构。SEM分析也表明,制备出的PZT表面致密均匀。
阮勇任天令谢丹林惠旺刘理天
关键词:MOCVDPZT压电铁电
共1页<1>
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