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中国博士后科学基金(20060400427)
中国博士后科学基金(20060400427)
作品数:
2
被引量:4
H指数:2
相关作者:
林惠旺
阮勇
刘理天
任天令
谢丹
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相关机构:
清华大学
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发文基金:
中国博士后科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
电子电信
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1篇
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机构
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任天令
2篇
刘理天
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阮勇
2篇
林惠旺
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谢丹
传媒
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微电子学
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纳米技术与精...
年份
2篇
2008
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PZT薄膜的MOCVD制备技术
被引量:2
2008年
采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术(DLI-MOCVD)制备Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜(PZT薄膜),并进行了相关研究,通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数(温度、压力、系统的气体(Ar,O2)流量、衬底转速、蠕动泵速),制备不同组分PZT薄膜(均匀性≥±95%,尺寸为2.54—20.32cm(1—8in),厚度为50—500nm).经XRD测试可见,PZT薄膜已形成钙钛矿结构.用SEM对其表面进行分析,结果表明,PZT薄膜表面致密均匀.
阮勇
谢丹
任天令
林惠旺
刘理天
关键词:
压电
铁电
MOCVD制备PZT薄膜技术研究
被引量:2
2008年
采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb(ZkTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速等,制备不同组分PZT薄膜;给出了不同衬底的PZT淀积结果。PZT薄膜的均匀性大于±5%,尺寸为25~200mm,厚度50~500m。经XRD测试,可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构。SEM分析也表明,制备出的PZT表面致密均匀。
阮勇
任天令
谢丹
林惠旺
刘理天
关键词:
MOCVD
PZT
压电
铁电
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