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国家高技术研究发展计划(2008AA04Z30711)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：刘川王宇哲张卓汪学方刘胜更多>>
相关机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇圆片
  • 1篇圆片级
  • 1篇真空封装
  • 1篇键合
  • 1篇封装
  • 1篇硅
  • 1篇金
  • 1篇MEMS

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇刘胜
  • 1篇汪学方
  • 1篇张卓
  • 1篇王宇哲
  • 1篇刘川

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究被引量：8
2011年
提出一种适用于微机电系统(MEMS)圆片级真空封装的键合结构,通过比较分析各种键合工艺的优缺点后,选择符合本试验要求的金硅键合工艺。根据所提出键合结构和金硅键合的特点设计键合工艺流程,在多次试验后优化工艺条件。在此工艺条件下,选用三组不同结构参数完成键合试验。之后对比不同的结构参数分别测试其键合质量(包括键合腔体泄漏率和键合强度的检测)。完成测试后对不同结构参数导致键合质量的差异做出定性分析,同时得到适用于MEMS圆片级真空封装的金硅键合结构和键合工艺。最后对试验做出总结和评价,并对试验中的不足之处提出后续改进建议。
张卓汪学方王宇哲刘川刘胜
关键词：MEMS真空封装圆片级
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