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国防科技重点实验室基金(51432030204DZ0101)

作品数：4 被引量：4H指数：1
相关作者：郝跃张进城高志远陈海峰倪金玉更多>>
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领域

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  • 11个理学
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主题

  • 11个ALGAN/...
  • 11个GAN
  • 9个氮化镓
  • 9个异质结
  • 9个击穿电压
  • 9个ALGAN/...
  • 9个HEMT
  • 8个场板
  • 7个等离子体
  • 7个电流崩塌
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  • 7个场板结构
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机构

  • 11个西安电子科技...
  • 7个教育部
  • 1个宝鸡文理学院
  • 1个北京大学
  • 1个电子科技大学
  • 1个南京电子器件...
  • 1个长安大学
  • 1个上海交通大学
  • 1个浙江大学

资助

  • 11个国防科技重点...
  • 11个国家重点基础...
  • 10个西安应用材料...
  • 9个国家自然科学...
  • 8个国防科技技术...
  • 5个国家部委预研...
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  • 3个陕西省自然科...
  • 2个教育部科学技...
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  • 2个国家磁约束核...
  • 2个国家教育部博...
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传媒

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  • 10个Journa...
  • 8个西安电子科技...
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  • 5个半导体技术
  • 5个固体电子学研...
  • 5个微电子学
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  • 3个材料导报
  • 3个材料研究学报
  • 2个无机材料学报
  • 2个发光学报

地区

  • 10个陕西省
  • 1个江苏省
共 11 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高志远
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 腐蚀坑 位错 KOH 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马香柏
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流崩塌 ALGAN/GAN_HEMT GAN 场板 HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈海峰
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：GIDL LDD GAN MOS器件 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭亮良
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：击穿电压 电流崩塌 场板 氮化镓 HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 GAN 解析模型 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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