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国家重点基础研究发展计划(2002CB311904)

作品数：17 被引量：23H指数：3
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相关机构：西安电子科技大学河北半导体研究所教育部更多>>
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领域

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主题

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  • 17个退火
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  • 15个电子迁移率
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  • 13个导体
  • 13个界面态
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  • 10个单晶

机构

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  • 1个中国电子科技...
  • 1个信息产业部

资助

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传媒

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  • 5个光子学报
  • 5个微电子学与计...
  • 5个强激光与粒子...
  • 5个第十五届全国...

地区

  • 17个陕西省
  • 8个河北省
  • 1个广东省
共 26 条 记 录，以下是 1-10
张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
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张义门
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
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王超
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：半绝缘 散热 4H-SIC 碳化硅 液态金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭辉
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大庆
供职机构：西安科技大学
研究主题：淀积 突变 衬底 原位掺杂 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵彤
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：4H-SIC N型 比接触电阻 欧姆接触 4H-碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王悦湖
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田爱华
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：4H-SIC N型 比接触电阻 欧姆接触 4H-碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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