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国家自然科学基金(61334002)

作品数：35 被引量：34H指数：3
相关作者：张进成过润秋冯兰胜段宝兴杨银堂更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
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领域

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机构

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地区

  • 15个陕西省
  • 10个北京市
共 25 条 记 录，以下是 1-10
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
过润秋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：空场 场板 化合物半导体材料 复合场 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨银堂
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段宝兴
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 晶体管 纵向电场 漂移区 场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯兰胜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：铝 基片 GAN 反应动力学 应变量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹震
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁小宁
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 表面电场 场效应管 电场分布 JUNCTION
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙朋朋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 X波段 低通 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿苗
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 开关器件 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁静
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：石墨烯 氮化镓 氮化铝 氮化镓薄膜 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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