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国家高技术研究发展计划(AA09Z239)

作品数：5 被引量：3H指数：1
相关作者：张海鹏陈波许生根齐瑞生吕韶义更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
张海鹏
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS 氧化层 埋层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫军
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：绝缘体上硅 大信号 散射参数 直流特性 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许生根
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 埋层 氧化层 NLDMOS SOI_LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐瑞生
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 埋层 氧化层 阳极 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 槽栅 氧化层 跨导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕韶义
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：数据挖掘 仿真 决策表 人工智能 仿真系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余厉阳
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：压电变压器 压电 手术器械 波形 压电换能器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马里剑
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：测试技术 LDMOS TFT-LCD SOI_LDMOS SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李浩
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 打滑 轮式移动机器人 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪洋
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：插入损耗 GAAS_PHEMT 矩阵开关 逻辑解码器 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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