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国家教育部博士点基金(200807010010)

作品数:14 被引量:14H指数:3
相关作者:刘红侠袁博曹磊匡潜玮马飞更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 9个陕西省
  • 1个四川省
10 条 记 录,以下是 1-10
刘红侠
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:单粒子 栅氧化层 总剂量 抗辐照 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁博
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:乘法器 低功耗 图像 肤色区域 逻辑单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
匡潜玮
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALD 高K栅介质 原子层淀积 HFO 材料特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹磊
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:隐私 SOI_MOSFET 高K栅介质 势垒 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊继斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:原子层淀积 硅衬底 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
栾苏珍
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:光电探测器 暗电流 SOI_MOSFET 半绝缘 钙钛矿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李斌
供职机构:西南科技大学
研究主题:出色 半导体致冷器 光线 限流 调制信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马飞
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:材料特性 HFO ALD 高K栅介质 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李劲
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SI/SI1-XGEX 反型层 电子迁移率 迁移率模型 SOI_MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张言雷
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MIS 电特性 栅结构 材料特性 HFO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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